一种基于P型硅片的太阳能电池片
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专利申请号:
CN202022642991.7
专利类型:
实用新型
技术分类:
H01L31/0224
专利有效期:
2030-11-16
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专利信息
专利名称:一种基于P型硅片的太阳能电池片
商品编号:5535141
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申请日期:2020-11-16
公开/公告号:CN213635995U
授权公告日/公开日:2021-07-06
申请/专利权人:
苏州***学院
发明/设计人:
张树***志春
主分类号:H01L31/0224
IPC分类号:H01L31/0224; H01L31/068; H01L31/18
说明书摘要免费下载摘要
本实用新型公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片,该太阳能电池片具有较高的转换效率,制备较为简单。该太阳能电池片,包括:P型硅片、形成于所述P型硅片正面的正面介质层、位于所述正面介质层上的正面电极、形成于所述P型硅片背面的背面介质层及位于所述背面介质层上的背面电极;其中,P型硅基体具有铝掺杂区域,正面电极与所述P型硅基体的所述铝掺杂区域形成金属接触。铝掺杂区域的制备相较于传统方法,制备过程简单,制备过程温度低,避免体少子寿命降低,保证了电池片的光电转化效率。
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