数字市场 专利库 一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统
一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统

一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统

注：上述费用仅包含专利权利转让费用，不包含专利年费或因年费未及时缴纳产生的滞纳金、恢复费。专利年费是专利权人依照专利法规定，自被授予专利权的当年开始，在专利权有效期内逐年应向专利局缴纳的费用。由于出售的专利类型、专利年限以及专利权人是否满足国家费用减缓的条件均会影响具体年费金额，需根据购买专利的实际情况进行缴纳。缴纳年费以及滞纳金、恢复费需单独和平台顾问确认且不属于下单后加价行为，故无法适用保障。
专利申请号：
CN202110426987.3
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L21/683
专利有效期：
2041-04-20
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专利信息
专利名称：一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统
商品编号：5527465
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申请日期：2021-04-20
公开/公告号：CN113270354B
授权公告日/公开日：2022-08-02
申请/专利权人： 广东***学
发明/设计人： 杨冠***张昱
主分类号：H01L21/683
IPC分类号：H01L21/683; H01L21/67; H01L33/48
说明书摘要免费下载摘要

本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统，包括以下步骤：S10.将芯片转移到垂直阵列排布的线束末端的抓头上；S20.控制线束与电场发生器的相对电压调整线束散开的弧度；S30.检测线束末端芯片是否处于同一水平面，修正局部芯片高度至芯片高度位于同一水平面；S40.检测芯片间距，当芯片间距处于合适间距时，将线束末端的芯片对准承载基板的目标焊盘；S50.使芯片脱离转移至承载基板的目标焊盘上；S60.依次完成多种类型的芯片向同一承载基板上的巨量转移。本发明通过调控静电场以调控线束的弯曲扩散，从而对芯片间距进行高精度的阵列扩张和转移，简化了芯片巨量转移的工艺流程，提高了芯片转移效率。

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一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统专利，专利类型：发明授权，技术分类是：H01L21/683，购买一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统专利，需要申请人和发明人的基础信息，还需提供一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统专利的详细信息。
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