一种p‑n结型ZnO‑CoTiO<base:Sub>3</base:Sub>室温气敏薄膜的制备方法

一种p‑n结型ZnO‑CoTiO3室温气敏薄膜的制备方法，将TiO2靶材和Co3O4靶材放入磁控溅射仪两个射频靶位中，将Zn靶放入直流溅射靶位；接着将Si基片放在磁控溅射仪的镀膜样品台上，再抽真空，通入Ar气，然后进行预溅射，通O2气，最后向Si基片上溅射镀膜，得到前驱体薄膜；将前驱体薄膜进行煅烧，控制煅烧温度在300℃～700℃，煅烧时间0.5h～3h，然后随炉冷却至室温，得到p‑n结型ZnO‑CoTiO3室温气敏薄膜。该方法能够有效地调控薄膜的组成，成膜性好，操作方便，生产周期短，制备的p‑n结型ZnO‑CoTiO3气敏薄膜分布均匀，具有优异的室温气敏特性并能有效地降低其工作温度。