数字市场 专利库 一种高储能性能陶瓷/聚合物介电复合材料及其制备方法

一种高储能性能陶瓷/聚合物介电复合材料及其制备方法

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专利申请号
CN202011407323.4
专利类型
发明专利
技术分类
C08L27/16
专利有效期
2040-12-04
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专利信息
专利名称:一种高储能性能陶瓷/聚合物介电复合材料及其制备方法
商品编号:5468179
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申请日期:2020-12-04
公开/公告号:CN112708228B
授权公告日/公开日:2022-09-27
申请/专利权人: 南昌***学
发明/设计人: 谢兵***郭坤
主分类号:C08L27/16
IPC分类号:C08L27/16; C08K9/02; C08K3/24; C08J5/18
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种高储能性能陶瓷/聚合物介电复合材料及其制备方法,该聚合物基复合材料以P(VDF‑CTFE)为基体材料,低介电、低损耗与高绝缘SiO2包覆的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3粉体为填充物。本发明利用准同型相界的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电陶瓷填充物来提高复合材料介电常数,利用低介电常数SiO2降低填充物与基体之间电场强度畸变来提高击穿场强。复合材料的击穿场强可以提高至450MV/m~491MV/m,该复合材料在最高491MV/m外加电场强度下,可以实现16.8J/cm3的储能密度和70%的储能效率。同时本发明还公开了该复合材料的制备方法。通过本发明,可以获得高储能密度、高储能效率和高击穿场强的聚合物基复合材料,该复合材料优异的介电储能特性使其可应用于高功率脉冲技术领域。

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