数字市场 专利库 全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法

全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法

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专利申请号
CN201711198920.9
专利类型
发明专利
技术分类
H01L27/108
专利有效期
2037-11-26
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专利信息
专利名称:全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法
商品编号:5456934
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申请日期:2017-11-26
公开/公告号:CN108010912A
授权公告日/公开日:2018-05-08
申请/专利权人: 苏**学
发明/设计人: 路建***竞辉
主分类号:H01L27/108
IPC分类号:H01L27/108; H01L21/8242; H01L29/12
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本发明公开了一种全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法,具有DRAM电存储性能,扩展了钙钛矿量子点在存储器件中的应用,对半导体器件有着良好的应用,制备成的三明治结构的电存储器件,成功实现了DRAM电存储行为,同时制备过程简单,器件稳定性好,具有重复性好、弯曲次数多的特点。本发明提供了柔性电存储器件一种新的设计思路,利用本发明技术方案制备的柔性电存储器件,成功实现了DRAM电存储行为。

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