一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法

本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法，该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层，p型半导体层上设置有源电极，n型半导体层上设置有漏电极，p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道，该芯片的制备方法包括以下步骤：(1)在基底制备底栅电极；(2)制备栅绝缘层；(3)制备p型半导体层；(4)制备源电极；(5)制备宽禁带半导体量子点本征层；(6)制备n型半导体层；(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流，加速分离光生电子和空穴，使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区，继而分别到达源电极和漏电极，提高其响应度。