半导体先进过程控制的参数优化控制方法
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专利申请号:
CN201210591451.8
专利类型:
发明专利
技术分类:
G05B13/04
专利有效期:
2032-12-30
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专利信息
专利名称:半导体先进过程控制的参数优化控制方法
商品编号:5377846
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申请日期:2012-12-30
公开/公告号:CN103092074B
授权公告日/公开日:2015-09-09
申请/专利权人:
重庆***学
发明/设计人:
王巍***徐华
主分类号:G05B13/04
IPC分类号:G05B13/04
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一个半导体先进过程控制(APC)的参数优化控制方法。在半导体工艺过程中,针对间歇过程的优化控制方法,传统方法一般采用线性预测模型。本发明采用基于遗传算法优化的BP神经网络预测模型,通过遗传算法对神经网络的初始权值和阈值进行优化,根据每个染色体所对应的适应度函数F,采用选择操作、概率交叉和变异操作等,并输出最优解,由此确定BP神经网络的最优初始权值和阈值,利用附加动量方法和变学习率学习算法提高BP神经网络的性能,使其经过训练后能很好的预测非线性模型。该方法中遗传算法具有很好的全局搜索能力,容易等到全局最优解,或性能很好的次优解,这对于提高神经网络的建模能力,有很好的促进作用。
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