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一种MIMO阵列天线及其加工方法

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专利申请号
CN202110135501.0
专利类型
发明专利
技术分类
H01Q1/52
专利有效期
2041-02-01
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专利信息
专利名称:一种MIMO阵列天线及其加工方法
商品编号:5372405
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申请日期:2021-02-01
公开/公告号:CN112928473B
授权公告日/公开日:2022-06-24
申请/专利权人: 重庆***学
发明/设计人: 王平***锡炼
主分类号:H01Q1/52
IPC分类号:H01Q1/52; H01Q21/00; H01Q13/10; H01Q15/24
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本发明公开了一种具有高隔离度的双极化MIMO阵列天线及加工方法。其中,双极化MIMO阵列天线选用背腔式缝隙天线,包括双极化背腔式缝隙天线和多个介质块,将多个双极化背腔式缝隙天线按照彼此边靠边的方式排列,组合成为双极化MIMO阵列天线。该发明相较于现有的提高阵列天线隔离度的方法而言,具有更高的带宽,能够适应用于更多场景,拥有比单极化阵列更高的信道容量,结构简单且体积小。加工方法包括以下步骤:对背腔式缝隙天线进行预加工处理;将多个所述双极化背腔式缝隙天线排列组合成双极化MIMO阵列天线;在所述双极化MIMO阵列天线上方增加隔离介质包括多个天线和介质块。

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