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一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器

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专利申请号
CN201610953991.4
专利类型
发明专利
技术分类
H01L51/05
专利有效期
2036-11-03
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专利信息
专利名称:一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器
商品编号:5351507
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申请日期:2016-11-03
公开/公告号:CN106684244B
授权公告日/公开日:2019-07-09
申请/专利权人: 南京***学
发明/设计人: 仪明***黄维
主分类号:H01L51/05
IPC分类号:H01L51/05; H01L51/10; H01L51/30; H01L51/40
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本发明公开了一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器,该存储器包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极,半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底,所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物,并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层,同时实现浮栅层和隧穿层的功能。本发明还提出一种制备上述浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的方法。本发明不仅能够在较低电压下表现出良好的晶体管性能,更能够在低电压下通过多元掺杂的方式实现较好的存储,并且在较小的弯曲半径和不同的弯曲方式下仍然可以保持原有的晶体管和存储器的性能,具有很好的机械柔韧性。

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