同质集成红外光子芯片及其制备方法

本发明涉及信息材料与器件技术领域，尤其涉及一种同质集成红外光子芯片及其制备方法。所述同质集成红外光子芯片包括衬底层以及均位于所述衬底层表面的器件结构和波导结构；所述器件结构包括沿垂直于所述衬底层的方向依次叠置的下接触层、量子阱层和上接触层，且所述衬底层、所述下接触层、所述量子阱层与所述上接触层的材料均为Ⅲ‑Ⅴ族材料；所述波导结构包括采用Ⅲ‑Ⅴ族材料制造而成的波导层，所述波导层与所述下接触层同层设置。本发明实现了红外波段的非可见光在片内的传输，降低了红外光通信器件的制造难度及制造成本。