一种发光电化学池及其制备方法
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专利申请号:
CN201910499467.8
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01L51/50
专利有效期:
2039-06-11
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专利信息
专利名称:一种发光电化学池及其制备方法
商品编号:5349338
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申请日期:2019-06-11
公开/公告号:CN110265559A
授权公告日/公开日:2019-09-20
申请/专利权人:
南京***学
发明/设计人:
赖文***黄维
主分类号:H01L51/50
IPC分类号:H01L51/50; H01L51/56
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种发光电化学池及其制备方法,该发光电化学池包括依次自下而上的铟锡氧化物导电玻璃、聚乙烯二氧噻吩层、发光活性层、金属电极。制备方法为:将发光材料与聚氧化乙烯,乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯,三氟甲磺酸锂,功能性纳米颗粒混合溶解在溶剂中,配制成墨水;在覆盖了聚乙烯二氧噻吩膜的氧化铟锡基底上,通过麦勒棒将墨水印刷成膜,并退火处理;将基底冷却至室温,然后转移到金属气相沉积系统的真空腔室中,蒸镀铝电极。纳米颗粒的存在抑制了活性层中电解质的结晶,改善了活性层的相分离情况,通过对聚合物发光材料的堆叠进行有序引导来实现薄膜表面粗糙度的降低,由此制得的发光电化学池载流子迁移率高、光电性能优异。
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