单片光电集成电路及其形成方法

本发明涉及一种单片光电集成电路及其形成方法。所述单片光电集成电路包括：衬底，包括光子集成器件区域和外围电路区域；第一GaN基多量子阱光电PN结器件，位于光子集成器件区域，用作发光二极管，包括第一P‑型欧姆接触电极和第一N‑型欧姆接触电极；第一GaN基场效应晶体管，位于外围电路区域，包括具有第一凹槽的第一栅极介质层、填充于第一凹槽中的第一栅极、以及第一源极和第一漏极；第一源极电连接第一P‑型欧姆接触电极，第一漏极用于与第一电位电连接，第一N‑型欧姆接触电极用于与低于第一电位的第二电位电连接，第一栅极电连接控制端口，以控制发光二极管的亮灭。本发明制备的单片光电集成电路具有高性能，且能够有效降低其加工难度。