具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管
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专利申请号：
CN201911241773.8
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L29/739
专利有效期：
2039-12-06
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专利信息
专利名称：具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管
商品编号：5236688
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申请日期：2019-12-06
公开/公告号：CN111129137B
授权公告日/公开日：2023-02-24
申请/专利权人：
西安***学
发明/设计人：
王曦***张萌
主分类号：H01L29/739
IPC分类号：H01L29/739; H01L21/331; H01L29/06
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p‑NiO层向上依次设置有n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上镶嵌有p‑SiC阱区，p‑SiC阱区上镶嵌有p‑SiC欧姆接触区与n‑SiC发射区；n‑SiC漂移区、p‑SiC阱区、以及n‑SiC发射区上表面共同覆盖有栅绝缘介质薄膜及栅极；p‑SiC欧姆接触区、n‑SiC发射区上表面共同覆盖有发射极；栅极上方覆盖有绝缘钝化介质薄膜；发射极及绝缘钝化介质薄膜上表面共同覆盖有金属；p‑NiO层下端面覆盖有集电极。本发明的结构，使SiC n‑IGBT的正向导通性能更优，通态功耗更低。
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