一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法
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专利申请号:
CN201910643820.5
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01L29/78
专利有效期:
2039-07-17
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专利信息
专利名称:一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法
商品编号:5211264
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申请日期:2019-07-17
公开/公告号:CN110364573B
授权公告日/公开日:2022-08-26
申请/专利权人:
湘**学
发明/设计人:
廖佳***益春
主分类号:H01L29/78
IPC分类号:H01L29/78; H01L29/792; H01L21/336
说明书摘要免费下载摘要
一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法,其中,存储器件包括衬底、隔离层、缓冲层、铁电层、第一浮栅金属层、电荷捕获层、隧穿层和栅金属层;衬底两边形成有隔离层,用于隔离相邻的存储器件;两边的隔离层之间的衬底上设置有有源区;有源区一边形成源区,另一边形成漏区;源区和漏区通过金属连线与上层金属连线连接,经过多层金属互联形成器件的外围电路控制;缓冲层覆盖隔离层和有源区上不与金属连线连接的部分;铁电层、电荷捕获层、第一浮栅金属层、隧穿层和栅金属层依次设置在源区和漏区之间的缓冲层上。由铁电层和电荷捕获层共同实现存储功能,铁电层极化时产生的电场作用于电荷捕获层存储信息,增加器件的抗疲劳性能,提高存储密度。
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