数字市场 专利库 一种基于磁流体选择填充微结构光纤的磁场传感器

一种基于磁流体选择填充微结构光纤的磁场传感器

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专利申请号
CN201811182045.X
专利类型
发明专利
技术分类
G01R33/10
专利有效期
2038-10-11
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专利信息
专利名称:一种基于磁流体选择填充微结构光纤的磁场传感器
商品编号:5175150
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申请日期:2018-10-11
公开/公告号:CN109143123B
授权公告日/公开日:2019-11-05
申请/专利权人: 燕**学
发明/设计人: 陈海***曙光
主分类号:G01R33/10
IPC分类号:G01R33/10; G01R33/032
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本发明公开了一种基于磁流体选择填充微结构光纤的磁场传感器,包括:微结构光纤MOF、磁流体,微结构光纤MOF背景材料为石英,包层为四边形气孔结构,纤芯周围对称设置有四个直径为d2的第二空气孔,相邻的第二空气孔之间的水平间距为Λ1;在第二空气孔的水平对称位置的中心点上方设置有一个直径为d3的第三空气孔,在第三空气孔正上方设置有直径为d5的第五空气孔,第五空气孔填充磁流体形成缺陷芯,在缺陷芯左右两侧设置有直径为d4的第四空气孔,包层通过直径为d1的第一空气孔填充,相邻的第一空气孔之间的平间距为Λx,竖直间距为Λy。本发明只需将该结构放有磁场的空间区域内即可实现对磁场强度大小的测量和检测。

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