差分输入端口的SIW馈电结构以及天线阵列
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专利申请号:
CN201910649793.2
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01Q1/50
专利有效期:
2039-07-18
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专利信息
专利名称:差分输入端口的SIW馈电结构以及天线阵列
商品编号:5155369
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申请日期:2019-07-18
公开/公告号:CN110364813A
授权公告日/公开日:2019-10-22
申请/专利权人:
南**学
发明/设计人:
唐慧***褚慧
主分类号:H01Q1/50
IPC分类号:H01Q1/50; H01Q21/00; H01P7/10
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种差分输入端口SIW馈电结构以及天线阵列,包括TE10模SIW和位于所述TE10模SIW上方的TE20模SIW,所述TE10模SIW包括面对面错开的一对功分结构,每一功分结构包括朝向第一方向的N级功分臂,两个所述功分结构的2N个最后级功分臂面对面设置,并在第二方向上错开TE10模横向半波长的宽度一一对接且对接线沿第一方向;TE10模SIW顶部沿对接线开设2N个第一耦合缝隙以提供2N个具有反相特性的信号激励所述TE20模SIW,第一耦合缝隙的间隔设置为TE20模横向半波长的宽度,所述TE20模SIW包括2N个TE20模SIW腔,所述2N个TE20模SIW腔顶部形成有与之一一对应的2N组第二耦合缝隙,每一组由M对第二耦合缝隙组成,每一对第二耦合缝隙输出一对差分信号,以激励辐射单元阵形成天线阵列。
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