一种人工磁导体结构
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专利申请号:
CN201911230963.X
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01Q15/14
专利有效期:
2039-12-05
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专利信息
专利名称:一种人工磁导体结构
商品编号:5087414
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申请日期:2019-12-05
公开/公告号:CN111029785A
授权公告日/公开日:2020-04-17
申请/专利权人:
宁**学
发明/设计人:
华昌***雪琴
主分类号:H01Q15/14
IPC分类号:H01Q15/14
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种人工磁导体结构,包括介质基板和设置在介质基板上方的辐射层,介质基板的材料为树脂,辐射层包括由m×n个辐射单元按照m行n列排布形成的辐射阵列,每个辐射单元分别包括长方体形状的辐射块,辐射块的材料为树脂,辐射块上设置有下端开口的辐射腔,辐射腔内充满水,介质基板内设置有设置有长方体形状的空腔,空腔内充满水;优点是介质基板和辐射层均采用树脂材料,结构简单,利用当前常见的3D打印技术即可加工制作,并且配合采用成本很低,容易获取的水资源来实现同相位反射和同相位传输特性,进一步降低了成本,由此本发明加工工艺简单,加工时间较短,材料成本和加工成本均较低。
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