一种SiC薄膜制备装置以及在低真空度下制备SiC薄膜的方法
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专利申请号：
CN201610359775.7
专利类型：
发明专利
技术分类：
C23C16/32
专利有效期：
2036-05-27
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专利信息
专利名称：一种SiC薄膜制备装置以及在低真空度下制备SiC薄膜的方法
商品编号：5083728
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申请日期：2016-05-27
公开/公告号：CN105803422A
授权公告日/公开日：2016-07-27
申请/专利权人：
洛阳***院
发明/设计人：
李*
主分类号：C23C16/32
IPC分类号：C23C16/32; C23C16/48
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及一种SiC薄膜制备装置以及SiC薄膜的制备方法，制备装置包括CVD反应炉和前驱体炉，CVD反应炉内部设置有加热台，侧壁开设有两个石英窗，外部对应两个石英窗分别设置有激光发射器和高温计，CVD反应炉顶部进气口通过喷嘴和管路分别连接至氩气源和前驱体炉，且与氩气源连接的管路上设置有控制阀Ⅰ，与前驱体炉连接的管路上设置有控制阀Ⅱ。制备SiC薄膜的方法：(1)、SiC膜制备前清洗准备工作；(2)、SiC膜制备前设备调整工作；(3)、SiC膜制备及制备后的调整。本发明制备SiC薄膜的方法，其薄膜的生长速率高，所需的真空度要求低，同时沉积温度较常规手段要低，制作成本低，便于推广利用。
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