自动跟踪可控硅准电流过零触发控制方法和电路

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专利申请号：

CN201811519815.5

专利类型：

发明专利

技术分类：

H03K17/13

专利有效期：

2038-12-12

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专利信息

专利名称：自动跟踪可控硅准电流过零触发控制方法和电路

商品编号：5064966

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申请日期：2018-12-12

公开/公告号：CN109714034B

授权公告日/公开日：2023-04-21

申请/专利权人：崔**

发明/设计人：崔**

主分类号：H03K17/13

IPC分类号：H03K17/13; H03K17/725

说明书摘要免费下载摘要

一种自动跟踪可控硅准电流过零触发控制方法和电路，用电压/电流传感器跟踪可控硅导通“0”、关断“1”的方法提取控制信号，并且对提取的信号进行处理后，控制触发双向可控硅或由两个单向反接的可控硅的方法，使可控硅无论是在电阻负载、电感负载还是电容负载中都能够实现可控硅在电流过零点附近进行转换。其优点是抗干扰能力极强、没有电流转换时的冲击，没有过电压的产生，没有电流电压换相时的时间间断，没有干扰辐射源的产生，不改变电路的功率因数，既提高了可控硅运行的可靠性，又使可控硅和设备安全、稳定、可靠的工作和运行。

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