多晶硅高阻结构及其制作方法
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专利申请号：
CN201711367190.0
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L23/535
专利有效期：
2037-12-18
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专利信息
专利名称：多晶硅高阻结构及其制作方法
商品编号：4910027
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申请日期：2017-12-18
公开/公告号：CN108063128B
授权公告日/公开日：2019-12-10
申请/专利权人：
胡**
发明/设计人：
不公***人
主分类号：H01L23/535
IPC分类号：H01L23/535
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及一种多晶硅高阻结构及其制作方法。所述多晶硅高阻结构包括衬底、形成于所述衬底上的多晶硅高阻、形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻**与所述多晶硅高阻间隔设置的多晶硅低阻、形成于所述衬底、所述多晶硅高阻与所述多晶硅低阻的钝化层、贯穿所述氧化层且对应所述多晶硅高阻的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻的第二接触孔、形成于所述钝化层上的金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻。
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