隧穿场效应晶体管及其制作方法

本发明公开了一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，属于场效应晶体管技术领域。所述隧穿场效应晶体管包括：两端分别设置有第一掺杂区域和第二掺杂区域的衬底；衬底上形成有鱼鳍形凸起的沟道区域，保护层，侧墙形状的沟道刻蚀硬掩膜层结构，栅极绝缘介质层；形成有栅极绝缘介质层的衬底上形成有第一栅极和第二栅极，且第一栅极和第二栅极分别位于沟道区域的两侧；形成有第一栅极和第二栅极的衬底上形成有绝缘材料填充层；第一掺杂区域与第二掺杂区域的掺杂区域间隔预设距离，预设距离大于沟道区域的宽度且小于衬底的长度。本发明解决了EHB‑TFET结构通用性较低的问题，实现了提高通用性的效果，用于控制器件的开启与关闭。