一种用于成像探测器的半导体结构

本实用新型公开了一种用于成像探测器的半导体结构，包括半导体衬底、第一P重掺杂层、刻蚀凹槽、入射窗口，所述半导体衬底上方设置有吸收层，所述吸收层上方设置有第二P重掺杂层，所述第二P重掺杂层外侧设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二P重掺杂层粘接，所述第一绝缘层内部设置有第一绝缘材料填充层，所述第二P重掺杂层上方设置有所述第一P重掺杂层，所述第一P重掺杂层与所述第二P重掺杂层粘接；有益效果在于：本实用新型通过减小吸收层的厚度，对电子和空穴在芯片内部的运动时间，提高了芯片的响应速度，通过增加第一绝缘层，使得芯片内部的电容减小，从而提高了宽带。