基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法
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专利申请号：
CN201611184781.X
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L21/04
专利有效期：
2036-12-20
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专利信息
专利名称：基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法
商品编号：4858132
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申请日期：2016-12-20
公开/公告号：CN106847680B
授权公告日/公开日：2021-03-05
申请/专利权人：
西安***公司
发明/设计人：
张亮***瑜
主分类号：H01L21/04
IPC分类号：H01L21/04; H01L29/66; H01Q1/38; H01Q7/00; H01Q23/00
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及一种基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法。该方法包括：选取GeOI衬底；在所述GeOI衬底表面生长GaAs材料；在所述GaAs材料上按照所述套筒偶极子天线的结构制作多个SPiN二极管串；制作直流偏置线以连接所述SPiN二极管串与直流偏置电源；利用多个所述SPiN二极管串制作所述天线臂和所述套筒；制作所述同轴馈线以连接所述天线臂及所述套筒，最终形成所述套筒偶极子天线。本发明实施例的套筒偶极子天线，通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通，形成等离子天线臂及套筒长度的可调，从而实现天线工作频率的可重构，具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。
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