数字市场 专利库 低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法
低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

注：上述费用仅包含专利权利转让费用，不包含专利年费或因年费未及时缴纳产生的滞纳金、恢复费。专利年费是专利权人依照专利法规定，自被授予专利权的当年开始，在专利权有效期内逐年应向专利局缴纳的费用。由于出售的专利类型、专利年限以及专利权人是否满足国家费用减缓的条件均会影响具体年费金额，需根据购买专利的实际情况进行缴纳。缴纳年费以及滞纳金、恢复费需单独和平台顾问确认且不属于下单后加价行为，故无法适用保障。
专利申请号：
CN202011103900.0
专利类型：
发明专利
技术分类：
C04B35/622
专利有效期：
2040-10-15
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专利信息
专利名称：低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法
商品编号：4847975
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申请日期：2020-10-15
公开/公告号：CN112194493B
授权公告日/公开日：2022-08-05
申请/专利权人： 桂林***学
发明/设计人： 周焕***海林
主分类号：C04B35/622
IPC分类号：C04B35/622; C04B35/01; C04B35/04
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，按照3:1:1:3的质量比例分别量取CZTG微波介质陶瓷和MZTG微波介质陶瓷的原料，并按照1:1的质量比加入无水乙醇，采用湿磨法混合4小时，并在120～140℃下烘干，以80目的筛网过筛，过筛后压制成对应的块状，接着分别在5℃/min的升温速率下，由室温升至1100℃，并在此温度下保温4小时，得到对应的烧块，然后分别按照质量比1:1的比例，与无水乙醇放入尼龙罐中球磨4小时，然后再分别放入烘炉，在120～140℃下烘干，得到对应的粉体；将所述粉体造粒后压制成圆柱并在550℃下排胶4小时，并在不同温度下进行烧结4小时，得到对应的微波介质陶瓷的整体性能较好。

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低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法专利，专利类型：发明授权，技术分类是：C04B35/622，购买低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法专利，需要申请人和发明人的基础信息，还需提供低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法专利的详细信息。
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