数字市场 专利库 提高NANDFlash存储可靠性的数据存储方法

提高NANDFlash存储可靠性的数据存储方法

注:上述费用仅包含专利权利转让费用,不包含专利年费或因年费未及时缴纳产生的滞纳金、恢复费。专利年费是专利权人依照专利法规定,自被授予专利权的当年开始,在专利权有效期内逐年应向专利局缴纳的费用。由于出售的专利类型、专利年限以及专利权人是否满足国家费用减缓的条件均会影响具体年费金额,需根据购买专利的实际情况进行缴纳。缴纳年费以及滞纳金、恢复费需单独和平台顾问确认且不属于下单后加价行为,故无法适用保障。
专利申请号
CN201410653332.X
专利类型
发明专利
技术分类
H03M13/03
专利有效期
2034-11-17
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专利信息
专利名称:提高NANDFlash存储可靠性的数据存储方法
商品编号:4793289
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申请日期:2014-11-17
公开/公告号:CN104467871A
授权公告日/公开日:2015-03-25
申请/专利权人: 哈尔***大学
发明/设计人: 魏德***立岩
主分类号:H03M13/03
IPC分类号:H03M13/03
说明书摘要免费下载摘要

提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法,属于固态硬盘存储技术领域。解决了现有的方法在处理NAND Flash的数据贮存错误和编程干扰错误中,有效性依赖于待处理数据的前后字节具有很强的相关性;以及浪费有效的存储空间和需要配备完善的数据增位缓冲机制才可以实现与页宽度的对齐,不能与地址映射算法进行透明适配的问题。技术方案为:在数据存储至NAND Flash之前应用半字节短码重映射编码,而在从NAND Flash中读出数据后应用半字节短码反映射解码,通过提升吞吐数据中“1”的比例,以达到提高数据存储可靠性。本发明适用于以NAND Flash为主存储芯片的固态存储设备。

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