数字市场 专利库 三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法

三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法

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专利申请号
CN201410198451.0
专利类型
发明专利
技术分类
C25D9/04
专利有效期
2034-05-12
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专利信息
专利名称:三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法
商品编号:4793023
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申请日期:2014-05-12
公开/公告号:CN103938245A
授权公告日/公开日:2014-07-23
申请/专利权人: 哈尔***大学
发明/设计人: 赵九***李垚
主分类号:C25D9/04
IPC分类号:C25D9/04; H01M4/48
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三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法,它涉及一种有序大孔薄膜的制备方法。本发明为了解决现有的制备三维有序大孔SnO2薄膜的方法中有序微结构不容易精确控制的技术问题。本方法如下:制备聚苯乙烯胶体晶体模板,使用直流电源,以锡片作为对比电极,以生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片作为工作电极,沉积,即得到三维有序大孔SnO2薄膜。本发明方法得到的是由纳米颗粒聚集的薄膜,三维有序大孔结构具有的连通大孔可以使锂电池中电解液快速渗入,能够使得电解液快速扩散,与活性物质进行反应。几纳米到几十纳米的孔壁能够使得锂离子的固相扩散程减小,可降低活性物质表面发生局部极化的现象。本发明属于锂离子电池的负极材料的制备领域。

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