可编程多晶硅熔丝结构的制造方法

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专利申请号：

CN201811013135.6

专利类型：

发明专利

技术分类：

H01L21/768

专利有效期：

2036-12-02

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专利信息

专利名称：可编程多晶硅熔丝结构的制造方法

商品编号：4778257

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申请日期：2016-12-02

公开/公告号：CN109346435A

授权公告日/公开日：2019-02-15

申请/专利权人：乐清***公司

发明/设计人：不公***人

主分类号：H01L21/768

IPC分类号：H01L21/768

说明书摘要免费下载摘要

本发明提供了一种可编程多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度钧小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分。

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