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石墨烯透明导电薄膜的制备方法

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专利申请号
CN201510227685.8
专利类型
发明专利
技术分类
H01B13/00
专利有效期
2035-05-06
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专利信息
专利名称:石墨烯透明导电薄膜的制备方法
商品编号:3988734
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申请日期:2015-05-06
公开/公告号:CN104779015B
授权公告日/公开日:2017-03-15
申请/专利权人: 南京***公司
发明/设计人: 来霸***化丛
主分类号:H01B13/00
IPC分类号:H01B13/00
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种石墨烯透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:①在大面积玻璃基底上采用磁控溅射法沉积大约一到两层镍原子厚的镍薄膜层;②在镍薄膜层上,采用化学气相沉积法沉积石墨烯薄膜层;③经过降温工艺处理后,镍原子穿过石墨烯薄膜层析出,并附着在石墨烯薄膜层的表面;④通过弱酸型清洗工艺将石墨烯薄膜层表面的镍层去除,然后进行干燥,得到透明导电膜。本发明突破了原有技术的限制,实现了把石墨烯透明导电薄膜在实验室内的小尺寸到工业化应用的大尺寸应用的跨越;在大面积应用上,将可以替代目前常规的光伏透明导电膜和触摸屏产业用的氧化铟锡透明导电膜,并可因大面积生产而降低成本。

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