一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管
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专利申请号：
CN201510608178.9
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L29/778
专利有效期：
2035-09-22
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专利信息
专利名称：一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管
商品编号：1563761
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申请日期：2015-09-22
公开/公告号：CN105261643A
授权公告日/公开日：2016-01-20
申请/专利权人：
宁**学
发明/设计人：
赵子***子阳
主分类号：H01L29/778
IPC分类号：H01L29/778; H01L29/06
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及在AlGaN势垒层上形成的源极、漏极和栅极组成，其特征在于，还包括位于AlGaN势垒层之上、栅极与漏极之间的Al组分渐变的AlxGa1-xN极化掺杂层。AlxGa1-xN极化掺杂层内的Al组分从上至下线性增大，通过Al组分渐变而产生的三维空穴气与沟道二维电子气相互补偿，形成电荷自平衡的超结结构，解决了电荷不平衡问题，提升了器件击穿电压和稳定性。
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