一种MOS管及其制造方法
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专利申请号:
CN201811081597.1
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01L21/8234
专利有效期:
2038-09-17
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专利信息
专利名称:一种MOS管及其制造方法
商品编号:26328
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申请日期:2018-09-17
公开/公告号:CN109216276A
授权公告日/公开日:2019-01-15
申请/专利权人:
深圳***公司
发明/设计人:
不公***人
主分类号:H01L21/8234
IPC分类号:H01L21/8234; H01L27/088
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及一种MOS管及其制造方法,通过在一个器件中集成LDMOS结构和VDMOS结构,V栅极为结构中VDMOS的栅极,L栅极为结构中LDMOS的栅极,LDMOS结构和VDMOS结构共用漏极和源极,VDMOS的电流途经源极注入区、垂直V栅极沟道,进入外延层,并通过第一埋层/第二埋层/偏移层/漏极注入区通路汇入漏极,LDMOS的电流途经源极注入区、水平体区沟道、漂移区、漏极注入区,汇入漏极,LDMOS和VDMOS共用漏极和源极,同时分别从水平和垂直沟道导电,与常规MOS器件相比,具有更低的导通电阻,更好电流驱动能力,且芯片面积利用率高;同时低掺杂的外延层保证了VDMOS结构的耐压,而漂移区及外延层结合的结构保证了LDMOS的耐压。
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