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交易市场 专利库 一种原子级平整Sr/Si(100)-2×3再构表面的制备方法
  • 一种原子级平整Sr/Si(100)-2×3再构表面的制备方法
浏览量:50 收藏

发布时间: 2020-08-04

一种原子级平整Sr/Si(100)-2×3再构表面的制备方法

发明授权   有效专利

价格 5~10万

活动 补贴官费 直降 更多优惠

  • 发明授权
  • C23C14/02
  • CN201610860393.2
  • 2018-10-30
  • CN106399929B
  • 完全转让
  • 2036-9-28
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专利 · 信息

Patent Message

著录项

  • CN201610860393.2
  • 2016-09-28
  • CN106399929B
  • 2018-10-30
  • 常州*学院
  • 杜文*****锡芳
  • C23C14/02
  • C23C14/02; C23C14/28; C23C14/30; C23C14/16; C23C14/58

说明书摘要

本发明公开了一种原子级平整Sr/Si(100)‑2×3再构表面的制备方法,属于纳米领域。本发明的一种原子级平整Sr/Si(100)‑2×3再构表面的制备方法,以单晶硅(100)片为衬底,其步骤为:1)衬底清洗;2)去除衬底表面氧化硅,同时制备出Si(100)‑2×1再构表面;3)在具有Si(100)‑2×1再构表面的衬底上制备亚单层金属锶薄膜;4)制备原子级平整Sr/Si(100)‑2×3再构表面。本发明步骤简单,操作方便,获得原子级平整的Sr/Si(100)‑2×3再构表面,并能精确确定Sr/Si(100)‑2×3再构表面上锶的覆盖度为1/6个单原子层。

免费下载说明书

权利要求

权利要求数量(23)   独立权利要求数量(5)
  • -

    1.一种原子级平整Sr/Si(100)-2×3再构表面的制备方法,以单晶硅(100)片为衬底,其步骤为:

  • -

    1)衬底清洗:

  • -

    1-1)将单晶硅(100)片切割成一定大小;

  • -

    1-2)将切割好的单晶硅(100)片在丙酮中超声清洗;

  • -

    1-3)将经丙酮超声清洗后的单晶硅(100)片使用纯水超声清洗;

  • -

    1-4)将经纯水超声清洗后的单晶硅(100)片用高纯氮气吹干,然后放入真空腔内;

  • -

    2)去除衬底表面氧化硅,同时制备出Si(100)-2×1再构表面:

  • -

    2-1)将上述真空腔的腔体抽真空,使得本底真空达到1×10-8Pa;

  • -

    2-2)采用直流加热的方式将衬底温度加热到650℃并保持12小时;

  • +

    2-3)采用直流加热的方式以一定的升温速率将衬底温度加热到1100℃并保持10 30s;

    ~

  • -

    2-4)以一定的降温速率将衬底温度降低到室温;

  • -

    3)在衬底上形成的Si(100)-2×1再构表面上制备亚单层金属锶薄膜:

  • -

    3-1)将经步骤2)处理后的衬底移至制样真空腔内,将制样真空腔的腔体抽真空,使得本底真空达到1×10-6Pa;

  • -

    3-2)在1×10-6Pa的真空下,对衬底进行加热,加热温度为500℃;

  • -

    3-3)使用脉冲激光沉积技术或电子束蒸发技术在Si(100)-2×1再构表面上沉积0.5nm厚度的金属锶薄膜;

  • -

    4)制备原子级平整Sr/Si(100)-2×3再构表面:

  • -

    4-1)将经步骤3)处理后的衬底移至分析真空腔,并使用离子泵和钛升华泵将分析真空腔的本底真空度抽到1×10-8Pa;

  • +

    4-2)将含有金属锶薄膜的衬底加热到750℃,并在750℃温度下维持5 10min,在这一恒~

    温过程中金属锶薄膜中锶原子与Si(100)-2×1再构表面硅二聚体发生电子转移反应,同时除了Si(100)-2×1再构表面上原本存在的横向硅二聚体外,还会形成纵向排列的硅二聚体;

  • -

    4-3)将衬底的温度降低到室温,同时确保分析真空腔的本底真空度维持在1×10-8Pa,即可获得原子级平整的Sr/Si(100)-2×3再构表面,Sr/Si(100)-2×3再构表面上锶的覆盖度为1/6个单原子层。

  • +

    2.根据权利要求1所述的一种原子级平整Sr/Si(100)-2×3再构表面的制备方法,其特征在于:所述的步骤3)中脉冲激光沉积技术的工艺参数为:激光功率密度为1 10W/cm2,工~

    艺真空度为1×10-6 1×10-4Pa,金属锶靶材,衬底温度为室温 500℃,沉积时间为1s 5s,薄~ ~ ~

    膜厚度为0.5nm。

  • -

    3.根据权利要求2所述的一种原子级平整Sr/Si(100)-2×3再构表面的制备方法,其特征在于:所述的步骤2)中衬底温度自650℃到1100℃的升温速率为20 50℃/s,衬底温度自~

  • +

    1100℃到室温的降温速率为5 10℃/s。

    ~

  • +

    4.根据权利要求3所述的一种原子级平整Sr/Si(100)-2×3再构表面的制备方法,其特

    2

    征在于:所述的步骤1)中单晶硅(100)片切割成2×2cm大小,单晶硅(100)片在丙酮中超声清洗3次,每次超声清洗的时间为15分钟,单晶硅(100)片在使用15兆欧纯水超声清洗3遍,每次超声清洗的时间为10分钟。

专家解读

专利 · 价值

Brand value

价值度评估

26.2
32.3
22.3
80.9分

80-100表示价值较高

50-70表示中等价值

50以下表示价值较低

总评分80.9

该专利价值较高 (仅供参考)

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该专利的技术、经济、法律价值经系统自动评估后的总评得分处于平均水平,可以重点研究利用其技术价值,根据法律价值的评估结果选择合适的使用借鉴方式。 本专利文献中包含【5个技术分类】,从一定程度上而言上述指标的数值越大可以反映出所述专利的技术保护及应用范围越广。 【专利权的维持时间47个月】专利权的维持时间越长,其价值对于权利人而言越高... 【查看全文】

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    A:发明专利20年;实用新型专利10年;外观设计专利10年。
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    A:当专利局审查后,会对审查结果做出通知。如果审核通过的话,专利局一般会在2到6个月内发专利转让合格通知书。并且可以在国家知识产权局专利库中查询到相关的变更结果。
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