一种边射惠更斯源二元天线阵列
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专利申请号:
CN202011035618.3
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01Q1/36(2006.01)I
专利有效期:
--
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专利信息
专利名称:一种边射惠更斯源二元天线阵列
商品编号:5858451
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申请日期:
公开/公告号:CN202011035618.3
授权公告日/公开日:
申请/专利权人:
发明/设计人:
主分类号:H01Q1/36(2006.01)I
IPC分类号:H01Q1/36(2006.01)I
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本发明涉及一种边射惠更斯源二元天线阵列,属于天线技术领域。该天线包括:介质基板、两个埃及战斧电偶极子、两个磁偶极子、去耦结构、两个激励单元和六个3D打印的尼龙支撑架;去耦结构设置于第一介质基板,磁偶极子上表面设置于第二介质基板,电偶极子设置于第三介质基板,磁偶极子下表面和馈线分别设置于第四层介质基板正反面;两对电磁偶极子分别构成两个惠更斯源天线单元,去耦结构被放置于第一层介质基板的相对位置中心。两个激励单元通过耦合馈电方式激励起两个磁偶极子,进而磁偶极子激励起电偶极子形成惠更斯源辐射。本发明具有高隔离度、高方向性以及良好的惠更斯源特性,同时具有紧凑化、结构简单的特点。
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