数字市场 专利库 一种Pd基可变电容型氢气传感器及其制备方法

一种Pd基可变电容型氢气传感器及其制备方法

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专利申请号
CN201610937801.X
专利类型
发明专利
技术分类
G01N27/22
专利有效期
2036-11-01
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专利信息
专利名称:一种Pd基可变电容型氢气传感器及其制备方法
商品编号:5110772
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申请日期:2016-11-01
公开/公告号:CN106370706A
授权公告日/公开日:2017-02-01
申请/专利权人: 苏州***学
发明/设计人: 赵蒙***炬
主分类号:G01N27/22
IPC分类号:G01N27/22
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本发明公开了一种Pd基可变电容型氢气传感器及其制备方法。在掺杂单晶Si基片上热氧化生长SiO2层,在SiO2层中开有贯穿SiO2层的沉积孔,在沉积孔内沉积可动电极Pd基材料;在SiO2层的上表面开有与沉积孔连通的通气槽,静止电极导电平板键合于SiO2层上。在氢气存在的条件下,传感器内的Pd基可动电极吸收氢气发生可逆体积膨胀,使动/静电极间距缩短,电容增大,从而实现对氢气浓度的监控。本发明提供的传感器的沉积孔具有横向限制作用,使Pd基可动电极的体积膨胀累加到高度方向,增大了传感响应,有效缩短了传感器的响应时间。同时,传感器采用标准Si基微加工工艺制作,成本和功耗较低,可批量生产,具有广阔市场前景。

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